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導(dǎo)電薄膜方塊電阻無損檢測(cè)設(shè)備EC-80P技術(shù)分析
針對(duì)納米導(dǎo)電薄膜的方塊電阻檢測(cè)問題,提出了基于微帶傳輸線的無損檢測(cè)方法。通過引入空氣縫隙,將待測(cè)導(dǎo)電薄膜及其襯底插入微帶線橫截面內(nèi),進(jìn)而測(cè)量微波信號(hào)的插損來獲得待測(cè)薄膜的導(dǎo)電特性。采用電磁仿真軟件和實(shí)驗(yàn)測(cè)試對(duì)該方法進(jìn)行了驗(yàn)證,結(jié)果表明:待測(cè)薄膜的方塊電阻越大,對(duì)應(yīng)的信號(hào)插損越小,從而初步證明了所提方法的可行性。
日本napson便攜式電阻檢測(cè)儀EC-80P
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω? cm
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
