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渦流探傷技術(shù)在電阻檢測(cè)方向上的運(yùn)用
渦流檢測(cè)是建立在電磁感應(yīng)原理基礎(chǔ)之上的一種無損檢測(cè)方法，它適用于導(dǎo)電材料。當(dāng)把一塊導(dǎo)體置于交變磁場(chǎng)之中，在導(dǎo)體中就有感應(yīng)電流存在，即產(chǎn)生渦流。由于導(dǎo)體自身各種因素（如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、形狀，尺寸和缺陷等）的變化，會(huì)導(dǎo)致渦流的變化，利用這種現(xiàn)象判定導(dǎo)體性質(zhì)，狀態(tài)的檢測(cè)方法，叫渦流檢測(cè)。
相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料
的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
硅基外延離子注入的樣品
化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)xi）
無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）
